ALLOS开宣布硅基氮化镓MicroLED晶圆

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为了处理芯片尺寸不匹配的问题并应对Micro LED出产量的应战，德国Micro LED技能厂商ALLOS 运用其共同的应变工程技能，展现 200mm 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 晶圆片的超卓一致性和可重复性，并一起阐明其 300mm 晶圆的成功开展蓝图。

良率是Micro LED显现器的成功的要害，并且会直接影响出产的复杂性和本钱。为了下降所需的本钱，有必要选用大芯片直径。这关于Micro LED运用而言特别如此，Micro LED需求整合CMOS出产线的芯片与 LED晶圆片整合(比如运用接合方法)。比照蓝宝石基氮化镓 (GaN-on-sapphire) 完成的更小直径，匹配的芯片直径还能促进其作用。ALLOS 团队选用其独有的应变工程技能来进一步提高波长一致性，并于 2019 年 2 月在 Veeco 的 Propel 产品上展现了 200mm 的 GaN-on-Si LED 晶圆片，规范差 (STDEV) 低至 0.6nm。

ALLOS 的最新研究成果显现，该技能现具有超卓的可仿制性，200mm 的波长一致性一直低于 1nm STDEV。ALLOS 联合创始人之一 Alexander Loesing 表明，与此一起，公司还达到了一切其他出产要求，例如弓小于 40 μm，SEMI 规范厚度为 725 μm。在将 CMOS 芯片粘合到 LED 外延片时，这些参数很重要。成果令人形象深入，因为公司的技能团队仅在对这项作业投入十分有限的时刻和资源的情况下，推动了 GaN 技能的开展。

ALLOS 的技能长 Atsushi Nishikawa 博士指出，公司的前身 AZZURRO 已率先在市场上推出了 150mm 商用产品，后来又推出了 200mm GaN-on-Si 外延片。下一个应战自然是出产 300mm 外延片。当为如此大的芯片规划的首个反应器 Veeco ImPulse 问世时，ALLOS便着手应对这一应战。

ALLOS 证明，其技能已在此新反应器上成功扩展 300mm。特别是，ALLOS 独有的应变工程技能和拔尖的晶体质量如预期的相同适用于 300mm。

比较于 LED 职业的其他要素，从 100mm 直径(典型的蓝宝石基氮化镓芯片尺寸)按份额增大关于 Micro LED 的事务影响更大。运用大直径除了可以下降单位面积本钱作用之外，用于 Micro LED 出产的 200mm 和 300mm GaN-on-Si 晶圆片还能比传统 LED 出产线的本钱更低和出产精度更高的 CMOS 设备。他还能形成更进一步的影响，因为大多数 Micro LED 出产形式选用大面积运用大面积转印技能，或是整合单片显现器。

图 3：扩大的芯片尺寸：因为显现器的匹配矩形形状或至圆形芯片的转印，可透过改进面积运用率来完成额定的本钱效益。，图片来自：ALLOS

关于 300mm 晶圆的优势，Loesing 总结道，关于 Micro LED 显现器来说，大芯片尺寸的面积运用率更高，单是这一点就能完成 300mm 外延片 40% 的本钱优势。加上 CMOS 出产线带来的其他本钱优势和出产优势，这使得抢先的业界厂商开端评价根据 300mm GaN-on-Si 的 Micro LED 显现器。

文稿来历：ALLOS