1万亿次写入寿数传三星1GbeMRAM内存良率已达90％

本年3月份，三星宣告全球第一家商业化规划量产eMRAM(嵌入式磁阻内存)，根据28nm FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)老练工艺，内存容量8Mb，可大规模的应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能范畴。

MRAM是一种非易失性存储，其远景被广泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等职业巨子多年来一向都在研讨，读写速度可以比美SRAM、DRAM等传统内存，当一起又对错易失性的，也便是可以断电保存数据，归纳了传统内存、闪存的有点。

三星量产的eMRAM内存是根据磁阻的存储，扩展性非常好，在非易失性、随机拜访、寿数耐久性等方面也远胜传统RAM。因为不需要在写入数据前进行擦除循环，eMRAM的写入速度可以到达eFlash的大约一千倍，并且电压、功耗低得多，待机状况下完全不会耗电，因此能效极高。

在8Mb eMRAM内存之后，三星最近渐渐的开端出产1Gb容量的eMRAM内存，仍然运用了28nm FD-SOI工艺，最新良率已到达了90%，使得eMRAM内存实用性大大提高。

虽然1Gb的容量、功能仍然远不如现在的内存及闪存，可是eMRAM内存超强的寿数、可靠性是其他产品不具备的，这款eMRAM内存在105°C高温下仍然可以擦写1亿次，85°C高温下寿数高达100亿次。

假如不是那么严苛的温度环境，而是日常运用环境，那么eMRAM内存的擦写次数高达1万亿次，现已没可能写死了。